我们所提供的DDR3存储芯片,为全国产化,自主可控等级为B,产品基于原厂晶圆,根据工业嵌入式系统以及军工领域产品的应用特性进行了封测和宽温的筛测,具备良好的稳定性和工作特性。
全国产化DDR3存储芯片-自主可控等级B-忆卓电子
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我们所提供的DDR3存储芯片,为全国产化,自主可控等级为B,产品基于原厂晶圆,根据工业嵌入式系统以及军工领域产品的应用特性进行了封测和宽温的筛测,具备良好的稳定性和工作特性。目前该器件可以替换国外镁光、三星等对应器件。 

存储接口:标准SSTL接口;
封装尺寸:FBGA96;
容范围:2Gb~4Gb;
位宽:x8/X16
工作频率:800MHz/933MHz;
电源供电:1.35V/1.5V;
物理尺寸:13mm×9.00mm×1.2mm
兼容并同 pin 替换镁光系列的 MT41J64M16GJT-15EAIT

容量 产品型号 对应国外型号 备注 工作温度 级别
2Gb YZ38E16SBB-9MFB-M(0) MT41K128M16JT-125IT:K 128Mx16 -40oC〜+85 C 工业级
YZ38E16SBB-9MFB-M -55°C〜+125°C 普军级
4Gb YZ38F16SBB-9MFD-M(0) MT41K256M16HA-125IT 256Mx16 -40°C〜+85 'C 工业级
YZ38F16SBB-9MFD-M -55°C〜+125'C 普军级