全国产化eMMC存储芯片

遵循 eMMC5.1 标准;
支持 3.3V/1.8V 电源;
兼容镁光系列产品 MTFCXXGJDDQ-4M;
适配平台:龙芯、飞腾、瑞芯微等国产化平台;
物理尺寸:11.5mmx13.0mmx1.0mm;
封装:FBGA153;

全国产化DDR3存储芯片

存储接口：标准SSTL接口；
封装尺寸：FBGA96;
容范围：2Gb～4Gb;
工作频率：800MHz/933MHz;
电源供电：1.35V/1.5V;
物理尺寸：13mm×9.00mm×1.2mm

全国产化DDR4存储芯片

封装尺寸:FBGA78/FBGA96;
标称容量:8Gb;
位宽:x8/xl6;
工作频率:2666MHZ;
电源供电:1.2V;
物理尺寸：14.0mm x 9.0mm x 1.2mm；

全国产化LPDDR4X存储芯片

200ball FBGA封装；
工作电压范围：
VDD1=1.8V
VDD2=1.1V
VDDQ=1.1V;
物理尺寸：15mmx10mmx0.95mm;

全国产化Nandflash存储芯片

存储接口:ONFI4.0:
封装尺寸:BGA132/BGA152；
容量范围:128GB~512GB;
CE 数:4CE;
擦写次数:3000;
I/0 速率:800MB/S;

全国产化NVMe BGA SSD存储芯片

存储接口:PCle Gen3x4;PCle Gen3x2;
连续读取速度 UP to 1800MB/s;
连续写入速度 UP to 1000MB/S;
电源供电:VCC=3.3V,VCCQ=1.2V,1V8=1.8V;
物理尺寸：16.0mm X20.0mm Xl.28mm (MAX);
封装：FBGA291;

全国产化SATA BGA SSD存储芯片

參存储接口:SATA III 6Gbps;
容量范围:TLC128GB~1TB;
pSLC64GB〜256GB;
电源供电:VCC=3.3V,VCCQ=l.2V, VDD=l.lV;
物理尺寸：16.0mm*20.0mm*1.7mm；
封装：FBGA156;

全国产化 SD Nand

遵循SD3.0标准
封装：LGA8;
支持SD_Bus_Widths全总线宽度；
工作电压范围：2.7V~3.6V ;
尺寸：12.5×9.0mm ;
可以提供国产自主可控承诺书；

全国产化TF卡

Flash 类型:TLC/pSLC;
支持SD_Bus_Widths全总线宽度;
支持ECC纠错；
容量:8GB〜256GB;
工作电压范围:2.7V〜3.6V；
尺寸：llmmX15mm；