LPDDR4X存储芯片个封装设计满足国产化要求,可以供相应的国产化证明材料。该芯片采用长鑫存储的晶圆封装而成,该芯片基于传统DDR SDRAM技术,但在功耗性能方面有较大优化。通过多通道架构和高时钟频率实现了比传统DDR更高的带宽。
200ball FBGA封装;
工作电压范围:
VDD1=1.8V
VDD2=1.1V
VDDQ=1.1V;
物理尺寸:15mmx10mmx0.95mm;
可以提供国产自主可控承诺书;
容量 | 产品型号 | 温度 | 封装 | 数据速率 |
2GB | YZDB5CCBM-EA-A | -40 C〜+85°C | FBGA200 | 3733/4266Mbps |
4GB | YZDB6CCBM-EA-A | FBGA200 | 3733/4266Mbps |