LPDDR4X存储芯片个封装设计满足国产化要求,可以供相应的国产化证明材料,LPDDR4X存储芯片采用长鑫存储的晶圆封装而成,该芯片基于传统DDR SDRAM技术,但在功耗性能方面有较大优化。
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LPDDR4X存储芯片个封装设计满足国产化要求,可以供相应的国产化证明材料。该芯片采用长鑫存储的晶圆封装而成,该芯片基于传统DDR SDRAM技术,但在功耗性能方面有较大优化。通过多通道架构和高时钟频率实现了比传统DDR更高的带宽。

200ball FBGA封装;
工作电压范围:
VDD1=1.8V
VDD2=1.1V
VDDQ=1.1V;
物理尺寸:15mmx10mmx0.95mm;
可以提供国产自主可控承诺书;

容量 产品型号 温度 封装 数据速率
2GB YZDB5CCBM-EA-A -40 C〜+85°C FBGA200 3733/4266Mbps
4GB YZDB6CCBM-EA-A FBGA200 3733/4266Mbps